LDMF1GA 高温度メモリ
導入
LDMF1GA は高温度で、信頼性の高い手型と一般的に使用されるメモリは、高速読み取りと書き込み、高、低気温下での高信頼性特性および 45℃ の厳しい環境下で連続運転することができます 〜 175。
製品モデル |
電圧範囲 |
構造 |
カプセル化 |
LDMF1GA |
2.7 V ~ 3.6 V |
1 x 8 ビット |
DIP16 |
特性
動作温度範囲:-45℃ ~ + 175
最大動作電流: 90mA;スタンバイ電流: 電源電圧 Vcc (V): 2.7 v ~ 3.6 v
入力高レベル (V): 0.8Vcc ~ Vcc + 0.3
入力低レベル (V):-0.3 〜 0.2Vcc
出力:2.4 高レベル (V) ~ Vcc
出力低レベル (V):-0.3 〜 0.4
カプセル化: 16 ピン DIP 鉛フリー カプセル (15.5 21.6 2.54 mm スペース x)
-
ピン構成
端子の説明
ピン名 |
ピン留め関数 |
IO0~IO7 |
多重化 I/O |
CLE |
コマンド ラッチを有効にします。 |
エール |
アドレス ラッチを有効にします。 |
C(—)E(—) |
チップを有効にします。 |
R(—)E(—) |
読み取りを有効にします。 |
W(—)E(—) |
書き込み許可 |
R/B(—) |
レディ/ビジー出力 |
Vcc |
電源装置 |
Vss |
地面 |
カプセルのサイズと参照画像
製品紹介
LDMF1GA の構造の容量
各チップには、4096 ブロックが含まれています、各ブロックには 128 ページが含まれています各ページには 2112 バイト (2 K + 64) が含まれます。プログラミングおよび操作のすべてを読んでは、ブロックを単位としてのユニットと消去の拠点としてページを基します。
LDMF1GA データは、bys 多重 8 I/O インタ フェースをアドレスします。1 G バイトの物理空間必要 30 アドレスは、したがって、アドレスに必要な 5 サイクル: 各ページの特定の位置を検索するカラム アドレスの 2 サイクル各ブロックの特定のページ番号を検索する行アドレスに対して 3 つのサイクル。ページ作成とプログラミングの必要性 5 サイクル後に開始と同じ入力を表彰します。消去のブロック操作のみ 3 アドレス サイクル、ニーズです。レジスタにコマンドを書くことによって選択します。
LDMF1GA の構造容量図
アドレス サイクル
アドレス指定 |
IO 0 |
IO 1 |
IO 2 |
IO 3 |
IO 4 |
IO 5 |
IO 6 |
IO 7 |
|
1stcycle |
A0 |
A1 |
A2 |
A3 |
A4 |
A5 |
A6 |
A7 |
列 adress1 |
2ndcycle |
A8 |
A9 |
A10 |
A11 |
0 |
0 |
0 |
0 |
列 adress2 |
3rdcycle |
A12 |
A13 |
A14 |
A15 |
A16 |
A17 |
A18 |
A19 |
住所行 1 |
4thcycle |
A20 |
A21 |
A22 |
A23 |
A24 |
A25 |
A26 |
A27 |
住所行 2 |
5thcycle |
A28 |
A29 |
A30 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 行目のアドレス |
コマンド一覧
関数 |
1stcycle |
2ndcycle |
リセット |
FFh |
- |
読み取り |
00 h |
30 h |
プログラミング ページ |
80 h |
10 h |
ブロック消去します。 |
60 h |
D0h |
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